白光LED将引发照明技术革命浪潮

    【建材网】全球白光LED研制进展：白光LED分单芯片、白光双芯片、将技术三芯片和四芯片，照明以下将按这一分类介绍：
　　
　　一、革命单芯片LED
　　
　　InGaN(蓝)/YAG荧光粉
　　
　　这是浪潮一种目前较为成熟的产品，其中1W和5W的白光Lumileds已有批量产品。这些产品采用芯片倒装结构，将技术提高发光效率和散热效果。照明荧光粉涂覆工艺的革命改进，可将色均匀性提高10倍。浪潮实验证明，白光电流和温度的将技术增加使LED光谱有些蓝移和红移，但对荧光光谱影响并不大。照明寿命实验结果也较好，革命Φ5的浪潮白光LED在工作1.2万小时后，光输出下降80%，而这种功率LED在工作1.2万小时后，仅下降10%，估计工作5万小时后下降30%。
　　
　　InGaN（蓝）/红荧光粉+绿荧光粉
　　
　　Lumileds公司采用460nmLED配以SrGa2S4：Eu2+(绿色)和SrS：Eu2+(红色)荧光粉，色温可达到3000K-6000K的较好结果，Ra达到82-87，较前述产品有所提高。
　　
　　InGaN（紫外）（红+绿+蓝）荧光粉
　　
　　Cree、日亚、丰田等公司均在大力研制紫外LED。Cree公司已生产出50mW、385nm—405nm的紫外LED；丰田已生产此类白光LED，其Ra大于等于90，但发光效率还不够理想；日亚于较近制得365nm、1mm、4.6V、500mA的高功率紫外LED，如制成白色LED，会有较好效果。2
　　
　　二、双芯片LED
　　
　　可由蓝LED+黄LED、蓝LED+黄绿LED以及蓝绿LED+黄LED制成，此种器件成本比较便宜，但由于是两种颜色LED形成的白光，显色性较差，只能在显色性要求不高的场合使用。
　　
　　三、三芯片（蓝色+绿色+红色）LED
　　
　　Philips公司用470nm、540nm和610nm的LED芯片制成Ra大于80的器件，色温可达3500K。如用470nm、525nm和635nm的LED芯片，则缺少黄色调，Ra只能达到20或30。

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